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    NIR-PLUS2017少子紅外PL光致發光集成測試儀是一款集成了少子、紅外、PL光致發光檢測的超級測試系統，能夠在2分鐘內實現對硅棒的紅外少子PL的全工藝檢測，包括少子壽命、硬質點、隱裂、微裂紋、黑心、黑邊、異常生長、光致發光檢測、電池片效率預測等等。對硅棒而言更是簡便，四面檢測，一鍵搞定。

■檢測類型：單晶，多晶，類單晶
■檢測指標：少子壽命、硬質點、隱裂、微裂紋、黑心、黑邊、異常生長、PL、電池片效率預測等
■樣品表面：毛面、光面均可
■檢測尺寸：156mm*156mm，210mm*210mm，尺寸也可根據客戶要求拓展
■檢測高度：500mm
■檢測速度：四面檢測少子紅外PL光致發光，小于2分鐘
■少子紅外PL光致發光綜合檢測分析，精準畫線
■分辨率：512*1150pixel[0.3mm]，高分辨率圖像可用于細節分析
■波長：900-1700nm
■3D功能分析
■工作電源: 220AC, 2000W
■工作溫度: 15-35度
■工作濕度: 20%-60%
■尺寸: 1000[H]*1100[W]*800[mm]+工控機
■重量: 166kg(含附件)
■符合標準：CE，RoHs
 


    高分辨率集成，2分鐘之內，檢測出3D少子和3D紅外所有檢測數據信息。一套系統，集成少子檢測、紅外探傷、PL光致發光檢測功能，堪稱史上最牛也是最高性價比的檢測系統。




    PL光致發光檢測模式中，集成了用戶通常檢測所需的少子檢測、彩色掃描標定（color maps）、柱狀圖分布等。另外硅塊掃描檢測的缺陷百分比和雜質百分比計算分析將為硅片生產效率的提升提供重要支撐。







    用戶無需人工分析，系統自動一鍵畫線功能，軟件立刻精準畫出切割線。
 


    系統校驗匹配后的，少子壽命檢測的誤差率控制在5%以內。在某些方面，比如硅塊的俄歇復合區域（Auger recombination dominated zones），NIR-PLUS2017有著其他少子壽命測試儀無可比擬的優勢，如上圖的綠色區域它能更加細微地表征出少子壽命的差異，而這些區域和差異通常只有在類似陽光和光致發光激光照明的高注入特殊條件下才能實現。
 






NIR-PLUS2017還提供PL的研發測試功能，包括晶圓硅片都可以進行檢測，硅棒的缺陷百分比及雜質百分比計算分析功能和硅片電池片效率檢測具有著高度的匹配一致性。









    和傳統的微波光電導衰減(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)測試結果的一致性比較。




   
    NIR-PLUS2017的檢測兼顧了檢測的快速性和檢測的高分辨率，如上圖是我們100mm*100mm的硅塊區域。


    我們的少子壽命測試原理和傳統的微波光電導衰減(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)原理不同，其在校驗后，將具有良好的相關性和一致性。切割畫線也具有良好的一致性。同樣的結果，NIR-PLUS2017顯示出高效的優勢。上圖顯示的最大的差異是在俄歇復合區域（Auger recombination dominated zones）。
 



    紅外探傷功能的評估模塊也使用戶工作更簡便，效率更高。